场效应管 2MBI200J120的资料参数
2MBI200J120
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
2MBI200J120
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
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