场效应管 BSM100GB100D的资料参数

BSM100GB100D

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

BSM100GB100D