场效应管 BSM100GB160D的资料参数

BSM100GB160D

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 135A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

BSM100GB160D