场效应管 BSM150GB160D的资料参数
BSM150GB160D
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
BSM150GB160D
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
BSM150GB160D