场效应管 BSM200GA170DN2S的资料参数

BSM200GA170DN2S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 290A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

BSM200GA170DN2S