场效应管 CM200DY12E的资料参数
CM200DY12E
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
CM200DY12E
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
CM200DY12E