场效应管 FGB20N6S2DT的资料参数

FGB20N6S2DT

封装 :

品牌 : Fairchild Semiconductor

脚位 :

功能描述 :
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

温度 : Min °C | Max °C

FGB20N6S2DT