场效应管 GP1000DHB06S的资料参数

GP1000DHB06S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 1KA I(C)

温度 : Min °C | Max °C

GP1000DHB06S