场效应管 GP150MHB16S的资料参数

GP150MHB16S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 150A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

GP150MHB16S