场效应管 GP800DHB12S的资料参数

GP800DHB12S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

GP800DHB12S