场效应管网

专业场效应管资料网站

场效应管 GT10J321的资料参数

GT10J321

封装 :

品牌 : Toshiba Semiconductor

脚位 :

功能描述 :
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Chanenel IGBT

温度 : Min °C | Max °C

GT10J321 PDF