场效应管 HGT1S12N60C3DS的资料参数

HGT1S12N60C3DS

封装 :

品牌 : Fairchild Semiconductor

脚位 :

功能描述 :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

温度 : Min °C | Max °C

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