场效应管 HGT1S1N120的资料参数

HGT1S1N120

封装 :

品牌 : INTERSIL[Intersil Corporation]

脚位 :

功能描述 :
6.2A 1200V Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

温度 : Min °C | Max °C

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