场效应管 HGT1S1N120BNDS的资料参数

HGT1S1N120BNDS

封装 :

品牌 : Intersil Corporation

脚位 :

功能描述 :
5.3A, 1200V, SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

温度 : Min °C | Max °C

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