场效应管 HGT1S1N120BNDS9A的资料参数

HGT1S1N120BNDS9A

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 5.3A I(C) | TO-263AB

温度 : Min °C | Max °C

HGT1S1N120BNDS9A