场效应管 HGT1S3N60B3DS9A的资料参数

HGT1S3N60B3DS9A

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-263AB

温度 : Min °C | Max °C

HGT1S3N60B3DS9A