场效应管 HGT1S5N120BNS9A的资料参数
HGT1S5N120BNS9A
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 10A I(C) | TO-263AB
温度 : Min °C | Max °C
HGT1S5N120BNS9A
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 10A I(C) | TO-263AB
温度 : Min °C | Max °C
HGT1S5N120BNS9A