场效应管 HGT1Y40N60C3D的资料参数

HGT1Y40N60C3D

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264

温度 : Min °C | Max °C

HGT1Y40N60C3D