场效应管 HGTD1N120BNS9A的资料参数

HGTD1N120BNS9A

封装 :

品牌 : Fairchild Semiconductor

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA

温度 : Min °C | Max °C

HGTD1N120BNS9A