场效应管 HGTD3N60B3S9A的资料参数

HGTD3N60B3S9A

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 3.5A I(C) | TO-252AA

温度 : Min °C | Max °C

HGTD3N60B3S9A