场效应管 HGTP1N120BND的资料参数
HGTP1N120BND
封装 :
品牌 : INTERSIL[Intersil Corporation]
脚位 :
功能描述 :
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
温度 : Min °C | Max °C
封装 :
品牌 : INTERSIL[Intersil Corporation]
脚位 :
功能描述 :
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
温度 : Min °C | Max °C