场效应管 IGT4E10的资料参数

IGT4E10

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-220AB

温度 : Min °C | Max °C

IGT4E10