场效应管 IRG4BC30US的资料参数

IRG4BC30US

封装 :

品牌 : IRF[International Rectifier]

脚位 :

功能描述 :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

温度 : Min °C | Max °C

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