场效应管 IRG4RC10STR的资料参数
IRG4RC10STR
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
温度 : Min °C | Max °C
IRG4RC10STR
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
温度 : Min °C | Max °C
IRG4RC10STR