场效应管 IRGDDN400M12的资料参数
IRGDDN400M12
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IRGDDN400M12
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IRGDDN400M12