场效应管 IRGTDN100M12的资料参数

IRGTDN100M12

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

IRGTDN100M12