场效应管 IRGTDN150M12的资料参数

IRGTDN150M12

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

IRGTDN150M12