场效应管 IXGH40N30BD1S的资料参数

IXGH40N30BD1S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD

温度 : Min °C | Max °C

IXGH40N30BD1S