场效应管 IXGQ200N60Y3的资料参数

IXGQ200N60Y3

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

IXGQ200N60Y3