场效应管 IXGQ25N100Y4的资料参数

IXGQ25N100Y4

封装 :

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脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

IXGQ25N100Y4