场效应管 IXGQ25N90Y4的资料参数
IXGQ25N90Y4
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 25A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IXGQ25N90Y4
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 25A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IXGQ25N90Y4