场效应管 IXGQ50N50Y4的资料参数
IXGQ50N50Y4
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IXGQ50N50Y4
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
IXGQ50N50Y4