场效应管 VDI200-12S4的资料参数
VDI200-12S4
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
VDI200-12S4
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
VDI200-12S4