场效应管 VIE100-12S的资料参数

VIE100-12S

封装 :

品牌 :

脚位 :

功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C)

温度 : Min °C | Max °C

VIE100-12S