场效应管 VII100-12S2的资料参数
VII100-12S2
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
VII100-12S2
封装 :
品牌 :
脚位 :
功能描述 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C)
温度 : Min °C | Max °C
VII100-12S2