场效应管分类

• 结型场效应管
  在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和...
• 绝缘栅场效应管
  用一个绝缘体（通常是二氧化硅）于栅和体之间。绝缘栅场效应管有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。绝缘栅场效应管具有更高的输入电阻，制造工艺简单，适于集�...
• HEMT
  HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。
• IGBT
  IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.
• FREDFET
  FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二极管的特殊FET。
• DGMOFET
  DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。
• DEPFET
  DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。
• MESFET
  MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一个肖特基势垒替代了JFET的PN结；它用于GaAs和其它的三五族半导体材料。
• ISFET
  ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。